Powered by Made-in-China.com
Serverleistung äußerst niedriges Schaltverlust
0,20 $
660 Stücke
Beispielpreis:US$10.00/stück.Muster anfordern
Produktprofil
Zertifizierung
RoHS, ISOVerkapselungsstruktur
Kunststoff Sealed TransistorInstallation
Plug-in-TriodeModell Nr.
OSG65R099HSZAF TO247Arbeitsfrequenz
HochfrequenzLeistungspegel
Mittlere LeistungFunktion
Macht Triode, SchalttriodeStruktur
NPNStoff
Siliziumbeschreibung
Extrem geringe SchaltverlusteEigenschaften
Ausgezeichnete Stabilität und GleichmäßigkeitAnwendungen
pc-StromversorgungBranchen
led-BeleuchtungTyp
Fast EV LadestationGarantie
24 MonateTransportpaket
KartonSpezifikation
TO247Warenzeichen
OrientalHalbleiterHerkunft
ChinaHS-Code
854129000Produktionskapazität
20kkkk/monatlichHauptmerkmale
Extrem geringe Schaltverluste: Nutzt die Ladungsausgleichstechnologie, um Leitungsverluste und Schaltverluste zu minimieren und so die Effizienz zu erhöhen.
Qualifiziert nach AEC-Q101 für den Automobilbereich: Erfüllt die strengen AEC-Q101-Standards, einschließlich umfassender HTRB-Tests bei 600 V für die Zuverlässigkeit im Automobilbereich.
Integrierte schnelle Rückgewinnungsdiode: Die Z-Serie integriert eine FRD (Fast Recovery Diode), um die Rückgewinnungszeit zu minimieren, ideal für resonante Schaltungstopologien.
Hohe Spannungsfestigkeit: Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 650 V und eine Gate-Source-Spannung von 30 V für Anwendungen mit hoher Spannung.
Überlegene Avalanche-Eigenschaften: Entwickelt mit robuster Avalanche-Fähigkeit, um hohen Energiebelastungen standzuhalten und die Haltbarkeit zu gewährleisten.
Vielseitige Anwendungsunterstützung: Geeignet für Netzteile für PCs, Telekommunikation, Servernetzteile, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Motorsteuerungen.
Unternehmensprofil

Unternehmensart: Hersteller/Werk, HandelsunternehmenExportjahr: 2019-01-01Nächster Hafen: ShanghaiDurchschnittliche Reaktionszeit: ≤15hZahlungsbedingungen: LC, T/T, D/P, etc.Internationale Handelsbedingungen (Incoterms): FOB, EXW, CIF, DDP, FCA
KI-gestützte Lieferantenprüfung
ZusammenfassungShanghai Winture Electric Co., Ltd. wird als in China ansässiges Handelsunternehmen und Hersteller/Fabrik identifiziert, das 2009 gegründet wurde und in den Bereichen Halbleiterbauelemente, MOSFET-Transistoren, Industriesteckverbinder, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicherung, Stromversorgungen für Rechenzentren, EV-Ladestationen und industrielle Beleuchtung tätig ist. Der Lieferant gibt Zertifizierungen nach ISO 9001 und ISO 14001, mehr als 10 Produktionslinien, 50 Mitarbeiter in der Qualitätskontrolle und 50 F&E-Ingenieure an. Das Unternehmen exportiert in eine breite Palette globaler Märkte und verfügt über eigene Import- und Exportrechte. Die Nachweise sprechen für eine beträchtliche Produktionsgröße, eine Zertifizierung der Qualitätssysteme und technische Innovationsaktivitäten. Die bereitgestellten Informationen belegen jedoch nicht ausreichend die Kundendienstprozesse, die Anpassungsfähigkeit, die finanzielle Glaubwürdigkeit oder verifizierbare Kundenreferenzen.
LieferantentypDer Lieferant wird sowohl als Handelsunternehmen als auch als Hersteller/Fabrik beschrieben, wobei sich seine Tätigkeiten auf Halbleiterbauelemente, MOSFET-Transistoren, Industriesteckverbinder und Anwendungen der Stromversorgung konzentrieren. Das angegebene Gründungsjahr 2009 und der Fabrikstandort in Suzhou sprechen für eine etablierte Fertigungspräsenz, obwohl in den Unterlagen auch ein Hauptsitz in Shanghai und die Einstufung als Handelsunternehmen genannt werden.
ZertifizierungenDer Lieferant gibt ausdrücklich Zertifizierungen nach ISO 9001 und ISO 14001 für Managementsysteme an. Diese weisen auf dokumentierte Qualitäts- und Umweltmanagementsysteme hin, jedoch werden keine Zertifikatsnummern, Gültigkeitsdaten oder Geltungsbereiche der Zertifizierungen angegeben.
R&D-FähigkeitWinture berichtet über umfangreiche technische Erfahrung im Bereich der Halbleiterbauelemente, mehrere Kernpatente für Halbleiterbauelemente, 50 F&E-Ingenieure sowie Produktziele wie geringe Schaltverluste, einen niedrigen RDS(ON), schnelle Reaktion und weiche antiparallele Dioden. Diese Angaben liefern konkrete Hinweise auf F&E- und Produktinnovationsaktivitäten, jedoch werden keine Patentdetails oder unabhängigen Validierungen vorgelegt.
ProduktionskapazitätDer Lieferant gibt mehr als 10 Produktionslinien, 50 Mitarbeiter in der Qualitätskontrolle, eine Jahresproduktion oberhalb des angegebenen Schwellenwerts und eine physische Fabrik in Suzhou an. Seine Produkthistorie seit 2009 und die breite Exportabdeckung sprechen ebenfalls für eine bedeutende operative Größe, während die ungewöhnlich angegebenen Informationen zur Lieferzeit geklärt werden sollten, da die Angaben für Neben- und Hochsaison inkonsistent erscheinen.
Produkt Q&A
Q:Was ist die maximale Spannung zwischen Drain und Source?
A:
Die maximale Spannung zwischen Drain und Source (VDS) beträgt 650 V.
Q:Ist dieses Produkt für Anwendungen im Automobilbereich geeignet?
A:
Ja, es ist nach AEC-Q101 qualifiziert und wird strengen HTRB-Tests bei 600 V unterzogen, um die Zuverlässigkeit im Automobilbereich zu gewährleisten.
Q:Enthält das Produkt eine Durchgangsdioden?
A:
Ja, es verfügt über eine extrem schnelle und robuste Durchgangsdioden mit einer Sperrverzögerungszeit von 151,7 ns.
Q:Welche typischen Anwendungen hat dieser MOSFET?
A:
Er eignet sich für Netzteile für PCs, Telekommunikationsgeräte, Server, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Motorsteuerungen.
Q:Welche Zertifizierungen besitzt das Produkt?
A:
Das Produkt ist nach RoHS- und ISO-Standards zertifiziert.
Anfrage Absenden
*bis:
Shanghai Winture Electric Co., Ltd.
Shanghai Winture Electric Co., Ltd.*Inhalt:
Die Antworten der Lieferanten werden an Ihre registrierte E-Mail-Adresse gesendet.
Das könnte Ihnen auch gefallen
Fha75t65A IGBT-Modul 750V 75A - Schnelles Schalten, niedrige Verluste, hohe Zuverlässigkeit
Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Fha25t120A IGBT-Modul - 1200V 25A, Schnelles Schalten, Niedrige Verluste, Hohe Zuverlässigkeit
Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Btb20-700b 700V 20A Triac - Hochleistungs-AC-Schaltlösung
Verhandelbar
10 Stücke(MOQ)
Btb24-1200b 1200V 24A Triac - Hochleistungs-Schaltlösung
US$0.10
1 Stück(MOQ)
IGBT-Transistor Fgh60n60 Fgh40t65shd SMD für elektronische Bauteile
US$0.001-0.10
10 Stücke(MOQ)
Original Ncep15t14 auf Lager 150V 140A 320W N-Kanal-to-220-MOSFET-Transistor 15t14
US$0.50
100 Stücke(MOQ)
Hochwertige 2sc5200 2SA1943 1943 5200 für Originaltransistor
US$0.001-0.10
10 Stücke(MOQ)
Original Ncep85t11 85V 110A 145W 85t11 N-Kanal to-220 Mosfet Transistor
US$0.25
500 Stücke(MOQ)
Dhx Bipolartransistor DN350t05-7 Sot-23 100% Original Neu
US$0.028
1 Stück(MOQ)
Elektronische Bauelemente Fgh60n60 60n60 To247 600V 60A IGBT-Transistor Fgh60n60SMD
US$0.923-0.95
10 Stücke(MOQ)
Dhx Transistor Ffb5551 Sot363 Brandneu und Original
US$0.04
1 Stück(MOQ)
Originaltransistor 2SA1186 A1186 2sc2837 C2837 Silizium PNP Leistungsverstärkertransistoren
US$0.89-1.00
10 Stücke(MOQ)
Neue originale elektronische Bauelemente Transistor CSD19533kcs
US$0.76-1.53
10 Stücke(MOQ)
Dhx Transistor Cph6121-Tl-E Sot23-6 Brandneu und Original
US$0.13
1 Stück(MOQ)

















