Magnetron-Sputter-Beschichtungsmaschine für Halbleiterwafer

Gleichmäßige Gasströmung und ausgezeichnete Gleichmäßigkeit der Beschichtung. Die innenliegende Kammer mit ihrer D-förmigen, bogenförmigen Kontur eliminiert rechteckige tote Bereiche und gewährleistet so eine gleichmäßige Strömung von Argon und reaktiven Gasen. Die Gasverteilung ist optimiert.

Hohe Pumpgeschwindigkeit im Hochvakuum und minimale Restverunreinigungen. Das bogenförmige Kammerdesign bietet einen geringen Luftwiderstand und eliminiert tote Bereiche für die Molekumpumpe; bei identischer Pumpkonfiguration.

Hohe Raumausnutzung bei Kompatibilität mit verschiedenen Probenformaten. Das Design, das eine Kombination aus flachen Kanten und gebogenen Seiten bietet, ermöglicht die Verwendung von flachen Substrathaltern und vertikalen Probenablagen.

Visuelle Überwachung gewährleistet einen intuitiven und kontrollierbaren experimentellen Prozess. Die seitliche Tür ist standardmäßig mit einem großen, gehärteten Vakuum-Sichtfenster ausgestattet, das eine ungehinderte Sicht ermöglicht.